Predstavljena slika serije modulov InGaAS-APD

Serija modulov InGaAS-APD

Model: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

Kratek opis:

Naprava je InGaAs lavinski fotodiodni modul z vgrajenim predojačevalnim vezjem, ki lahko pretvarja šibke.Ko je tokovni signal ojačan, se pretvori v izhod napetostnega signala, da se izvede proces pretvorbe "ojačitev optičnega električnega signala".

pridobi ponudbo Prenesi

Tehnični parameter

LASTNOSTI

UPORABA

Oznake izdelkov

Fotoelektrične značilnosti (＠Ta＝22±3℃)
Model	GD6510Y	GD6511Y	GD6512Y
Obrazec paketa	TO-8	TO-8	TO-8
Premer fotoobčutljive površine (mm)	0,2	0,5	0,08
Spektralno območje odziva (nm)	1000~1700	1000~1700	1000~1700
Probojna napetost (V)	30~70	30~70	30~70
Odzivnost M=10 l=1550nm(kV/W)	340	340	340
Čas vzpona (ns)	5	10	2.3
Pasovna širina (MHz)	70	35	150
Ekvivalentna hrupna moč (pW/√Hz)	0,15	0,21	0,11
Temperaturni koeficient delovne napetosti T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)	0,12	0,12	0,12
Koncentričnost (μm)	≤50	≤50	≤50
Alternativni modeli enake zmogljivosti po vsem svetu	C3059-1550-R2A	/	C3059-1550-R08B

Struktura čipa sprednje ravnine

Hiter odziv

Visoka občutljivost detektorja

Lasersko določanje razdalje

Lidar

Lasersko opozorilo